PRESS RELEASE

La présidence allemande d’EUREKA a invité un représentant de chacun des trois projets finalistes sur le stand EUREKA à la Foire de Hanovre qui s’est tenue les 19 et 20 avril dernier en Allemagne. Les trois finalistes seront également invités à la cérémonie de remise des trophées qui se déroulera à Berlin le jeudi 24 juin 2010. Le lauréat sera annoncé lors de cette cérémonie en présence de nombreuses personnalités européennes parmi lesquelles plusieurs ministres et ambassadeurs.

Le projet MEDEA+ 2T103 FOREMOST, qui a été mené à bien avec succès à la mi-2009, a été lancé en janvier 2006 avec pour objectif de maintenir les points forts de l’Europe dans le domaine de la technologie et de la fabrication de circuits intégrés CMOS grâce au développement, à l’intégration et à la démonstration d’architectures de transistors et de modules de procédés avancés pour le nœud technologique en 45 nm utilisé dans les usines de fabrication sur tranches de silicium de 300 mm. Ce projet a reçu notamment le soutien de la part, entre autres, des pouvoirs publics français, allemands et néerlandais, dans le cadre du programme EUREKA MEDEA+.

 

Le projet portait à la fois sur les technologies de fabrication CMOS pour circuit logique et  mémoires DRAM/Flash, avec pour objectif de promouvoir les synergies entre les compétences des plus grands fabricants de semi-conducteurs européens, parmi lesquels STMicroelectronics, NXP, Freescale et Qimonda, ainsi que des principaux fournisseurs d’équipements et de matériaux (Air Liquide, Aixtron et ASM), et des instituts et laboratoires de renommée internationale (La liste complète des membres du consortium FOREMOST figure à la note 1.)

 La totalité des objectifs majeurs de ce projet ont été atteints, ouvrant la voie à de nouveaux développements passionnants pour les systèmes-sur-puce. De plus, les partenaires du projet ont publié plus de 80 articles, déposé 30 nouvelles demandes de brevets et participé à plus de 40 conférences. L’impact de projets de R&D aussi fructueux que FOREMOST peut se mesurer aux réalisations apparues par la suite dans les principaux domaines d’application qui dopent la position des fabricants de semi-conducteurs européens tels que STMicroelectronics et de leurs fournisseurs de matériaux et d’équipements sur le marché mondial.

 Dans le domaine des communications mobiles par exemple, ST-Ericsson, un leader mondial pour les semi-conducteurs et les plates-formes mobiles, a présenté une plate-forme double cœur pour téléphone intelligent (chaque cœur étant cadencé à 1,2 GHz), à l’occasion du salon Mobile World Congress qui eu lieu en février 2010. Cette avancée, qui définit une nouvelle référence pour les plates-formes de smartphones intégrées sur systèmes multi-cœurs, permettra d’utiliser simultanément plusieurs applications graphiquement riches sur des combinés téléphoniques : vidéo haute définition ou 3D, accès aux réseaux sociaux, navigation sur cartes en ligne et réalité augmentée. Elle permettra par ailleurs d’accroître de façon significative la réactivité et l’utilisation de l’interface des téléphones intelligents. Le processeur U8500 a été conçu dans la technologie basse consommation 45 nm de pointe développée par STMicroelectronics, qui représente un vecteur-clé pour atteindre les performances présentées lors du Congrès.

 De même, dans le domaine des écrans et des divertissements domestiques, STMicroelectronics a démontré le potentiel du circuit de décodage STi7108 lors du salon CES qui a eu lieu à Las Vegas en janvier 2010. Le STi7108 est le premier des circuits intégrés haute définition de troisième génération de ST à utiliser les performances sans précédent du processeur central pour permettre aux utilisateurs de vivre une expérience télévisuelle hors pair en 3D et en haute définition. Ce circuit se distingue également par son rendement énergétique à la pointe du marché, grâce à son architecture configurable basse consommation et au processus de fabrication basse consommation de ST.

« Le Trophée de l’innovation Eureka récompense les efforts collectifs d’organisations européennes, des plus grands fabricants de semi-conducteurs et des fournisseurs de matériaux et d’équipements (parmi lesquels des PME) aux universités et instituts de recherche à vocation industrielle, qui se sont associées pour développer un savoir-faire avancé grâce auquel l’industrie européenne pourra maintenir une forte présence dans le paysage mondial de la microélectronique », déclare Dominique Thomas, Directeur R&D technologique de STMicroelectronics en charge des programmes en partenariat. « La cohérence entre les générations successives de projets pris en charge par les initiatives EUREKA telles que JESSI, MEDEA, MEDEA+ et aujourd’hui CATRENE, ainsi que les programmes soutenus par la Commission Européenne, permet d’optimiser le développement et l’utilisation des nœuds technologiques de générations successives ».

Le programme FOREMOST utilise des éléments du projet NANOCMOS FP6 (6^e programme-cadre) de l’Union Européenne, qui a effectué la sélection initiale et fait la démonstration des matériaux, des dispositifs et de l’architecture d’interconnexion adaptés à la technologie CMOS logique 45 nm. Parallèlement, PULLNANO, un autre programme FP6, a été développé sur la base du projet NANOCMOS en mettant l’accent sur le développement précoce des nœuds technologiques CMOS 32 nm, permettant à l’Europe d’accéder à cette technologie. Arrivé à son terme avec succès fin 2008, PULLNANO a été sélectionné en tant que projet « STAR » pour ICT 2010, le forum européen consacré à la recherche et à l'innovation numérique, qui aura lieu du 27 au 29 septembre 2010 à Bruxelles.