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RAD-HARD功率MOSFET
一种用于航空应用的高可靠性系列产品
 

用于卫星和空间站的电子器件经常受到宇宙线的簇射。当在太空中有高能粒子通过时，就会发生由高密度电子空穴对造成的半导体故障和软/硬故障。

用于太空抗辐射性能测试的辐射装置可提供不同的辐射质量，比如伽马射线、电子束和离子束：

总电离剂量(TID) - 100krad (Si) 射线
单粒子效应 (SEE)重离子辐射
LET = 37 E= 250 MeV 防溴目标
Rad-Hard


RAD-HARD功率MOSFET

ST正在扩大其RAD-HARD产品组合，推出：

N通道60V、100V、200V和250V器件
P通道60V、100V和200V器件

这些器件经过抗辐射加固并且具有适用于卫星的高度可靠性。这些面向卫星DC-DC转换器、电机控制逆变器、通道放大器、电子功率调节器及其它具有高度可靠性应用的新型器件都采用完全隔离的密封封装。这些器件采用表面贴装SMD-0.5封装，适用于较小晶粒尺寸的TO-39封装，以及适用于较大晶粒尺寸的TO-257AA和TO-254AA封装。

RAD-HARD功率MOSFET技术特性

必须准确预测该器件在太空中的使用寿命和可靠性。在该领域，已经开发出用于评估电子器件的抗辐射能力的技术。

优化栅氧化工艺以降低总电离剂量 (TID) 敏感度
采用漏极工程结构以提高单粒子烧毁（SEB）效应/单粒子栅穿（SEGR）效应的耐受性
采用替代栅结构以提高TID耐受性并获得最佳SEGR/TID折衷效果

RAD-HARD功率MOSFET的特性

优化栅氧化工艺以降低总电离剂量 (TID) 敏感度
Rad-Hard
采用漏极工程结构以提高单粒子烧毁（SEB）效应/单粒子栅穿（SEGR）效应的耐受性
采用替代栅结构以提高TID耐受性并获得最佳SEGR/TID折衷效果


技术
部件编号
箝位BVDSS
[V]
电压为10V时的RDS(on)
[mOhm]
通道极性
辐射总剂量
[krad]
线性能量转换
[Mev/(mg/cm2)]
封装
STripFET
100
24
N
100
37
TO-254AA
60
30
SMD-0.5
60
12
TO-254AA
100
160
TO-39
PowerMESH
200
44
TO-254AA
200
200
SMD-0.5
250
70
TO-254AA
250
550
TO-257
STripFET
100
60
P
100
37
TO-254AA
60
50
TO-254AA
60
18
TO-254AA
100
300
TO-257

 

 

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