 PowerSPIN™产品采用ST的BCDIII制造工艺——一种带有1um特征尺寸的混合信号功率技术，它整合了双极晶体管和二极管、CMOS和绝缘DMOS结构，因此，它是真正的产品平台。
该系列产品中的任何一款都是那些需要成本效益和系统级卓越性能但又无需或无法进行ASIC设计的电机控制系统所需的优化解决方案。
powerSPIN™基于一个控制内核，该内核包含所有逻辑和模拟电路，它们实际上以一种最适合不同电机类型——步进电机、直流电机和三相无刷直流电机的特定需求的方式管理特定的特理变量（如电流、速度）。
控制内核还包含所有的保护检测和处理模块（如欠压、超温、过电流）以及专门用于驱动额定电压为60V的集成功率MOS的优化的缓冲器段。后面这些都被集成到8个（4个高侧，4个低侧）阵列或6个（3个高侧，3个低侧）阵列中。两种桥拓扑具有两个不同的DMOS尺寸——Rdson分别为0.73ohm和0.3ohm，完全适合两种额定电流范围——1.4Arms和2.8Arms。
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BCDIIIs, 1um, 60 V混合信号功率技术 |
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操作电压范围：8-52V |
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PowerMOS输出级：
- 典型Rds(on) = 0.3ohm或0.73ohm，Tj = 25°C
- 固有的快速整流二极管
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包含不同额定电流的两类产品：
- L620X和L6235，5.6Apeak和2.8Arms
- L622X, 2.8Apeak和1.4Arms
- 并联操作可将峰值电流和额定rms都提高一倍
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广泛的保护方案：
- 无耗散高侧电流检测，用于进行扩电流保护
- 跨导保护
- 防热
- 欠压锁定
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PowerSO，SO和DIP封装选择：
- 适用于不同额定功率 |
设计powerSPIN™所采用的工艺为实现极其丰富的产品阵容创造了条件——三种封装选择中的任何一种都可以制造出10款不同产品！——各个产品之间通过超小的薄片加以区别——可为您的电机控制系统带来卓越的性价比。
 非常明显，重要的是该器件具有能够完全匹配实际额定电流和/或具体应用规定的容许功耗的电源部分。
在这种情况下，两种不同级别的功率MOS相结合以及将一些产品的不同部分并联起来进一步降低了导通电阻并提升了电流能力，这给系统设计人员带来极大的自由发挥空间。这些特性加上有三种不同封装可以选择——双列直插式封装、小外形塑料封装和ST的真正的功率SMD封装PowerSO，使得该产品能够满足各种应用的需求。
| ...而且我们发现该产品推出的正是时候。我们要帮助您选择和评估我们为您提供的powerSPIN平台的所有优点，以及让您获得从我们共同提供的practiSPIN™中的所有益处。practiSPIN是什么？它是一个集成的评估环境，它可帮助系统设计人员在短短几分钟的时间内，设计出用适当的powerSPIN产品以自己自身的电流和速度设置驱动的电机。所有这些都会获得实质性的帮助来解答关于如何确定解决方案等基础问题，尤其是散热管理问题。 |
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该评估环境包含一组特定产品评估板，它可以通过一个基于微控制器（ST7）的接口板与PC的串行输出端口连接起来。整个评估板由窗口上支持所有工具功能的图形用户界面管理。评估板和接口板可通过您所在地的ST代表处订购，点击此处，可以下载practiSPIN软件。
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