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功率MOSFET
ST自主开发的条状布局工艺及相关衍生工艺为功率MOSFET带来了革命性变化。功率MOSFET系列包括高级MDmesh
TM
以及面向高电压与极高电压功率MOSFET应用的PowerMESH
TM
。
低压STripFET
TM
家族面向直流/直流转换、汽车、运动控制和功率管理应用进行了优化。
通过采用创新封装技术,ST的功率MOSFET性能得到了进一步的提升。
功率MOSFET
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MDmesh V power MOSFET:新型高电压(650 V @ 25 oC)功率MOSFET系列,在RDS(on)方面处于世界领先。
PolarPAK®双面冷却功率MOSFET封装技术
SuperMESH3
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620V和525V 功率MOSFETs:应用于低传导和低开关损耗的照明及SMPS领域
面向最高速功率应用的FDmesh™ II快速功率MOSFET晶体管
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产品手册与指南
功率MOSFET的选择指南
( PDF 2.36M )
MDmesh V功率MOSFET文档
( PDF 1.23M )
用于汽车解决方案、完全兼容的功率MOSFET
(PDF 227K)
用于计量的功率MOSFET
(PDF 305K)
MDmesh™ II and FDmesh™ II 用于高效率电源转换器的创新高电流器件
(PDF 614K)
产品新闻
2009年5月11日,新闻发布:
意法半导体(ST)创新高压晶体管技术,协助开发更可靠的高能效电源
2009年3月26日,新闻发布:
意法半导体(ST)推出全新30V功率晶体管,采用第六代STripFET™制造工艺,功率密度达到业内最高水平
2009年2月17日,新闻发布:
意法半导体(ST)最新MDmesh™ V功率MOSFET技术,在650V额定电压下取得最佳单位面积导通电阻、能效和功率密度
相关信息
应用指南:
AN2344 – 功率MOSFET雪崩特性和等级
AN2239 – 利用带有集成肖特基二极管的标准STripFETs™使同步降压转换效率最大化
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