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功率MOSFET

ST自主开发的条状布局工艺及相关衍生工艺为功率MOSFET带来了革命性变化。功率MOSFET系列包括高级MDmeshTM以及面向高电压与极高电压功率MOSFET应用的PowerMESHTM
低压STripFETTM家族面向直流/直流转换、汽车、运动控制和功率管理应用进行了优化。
通过采用创新封装技术,ST的功率MOSFET性能得到了进一步的提升。
功率MOSFET系列
N通道(12V至40V)
N通道(>40V至150V)
N通道(>150V至400V)
N通道(>400V至650V)
N通道(>650V)
P通道(-20V至-250V)
 
 
特色产品
SuperMESH3TM620V和525V 功率MOSFETs:降低传导和开关损耗,在照明及开关电源的应用。
STV200N55F3/STV250N55F3:高电流设备实现低压电动机控制 
面向最高速功率应用的FDmesh™ II快速功率MOSFET晶体管 
STripFET™ V: DC-DC转换器中的更高频率和更低损耗
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产品手册与指南
用于计量的功率MOSFET (PDF 305K)
MDmesh™ II and FDmesh™ II 用于高效率电源转换器的创新高电流器件(PDF 614K)
 
产品新闻
2008年9月17日,新闻发布:
意法半导体(ST)推出SuperMESH3™ 功率MOSFET,提高照明系统和开关电源应用的能效、可靠性和安全性
2008年7月16日,新闻发布:
意法半导体(ST)推出250A功率MOSFET,封装和制程同步升级,提高电机驱动能效
2008年2月20日,新闻发布:
意法半导体(ST)采用新STripFET™技术的功率MOSFET系列产品使DC-DC转换器实现更高频率和更低损耗
2007年11月30日,新闻发布:
意法半导体(ST)推出微欧功率MOSFET晶体管,提高并联服务器电源的能效
 
相关信息
应用指南:
AN2344 – 功率MOSFET雪崩特性和等级
AN2239 – 利用带有集成肖特基二极管的标准STripFETs™使同步降压转换效率最大化