面向高压和低压应用的先进电源技术以及多种封装选项和创新型晶片键合技术说明了意法半导体在功率晶体管领域的创新。 我们的产品包括-500~1700 V MOSFET、额定温度(200 °C)业内最高的碳化硅(SiC)MOSFET、击穿电压范围为300~1250 V的IGBT和大量功率双极晶体管

宽带隙晶体管

宽带隙晶体管


650和1200 V碳化硅MOSFET具有行业内最高的温度额定值200 °C,即使在高温条件下,其 RDS(on) 的变化也非常小。

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功率MOSFET

功率MOSFET


采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-500 ~ 1700 V)、低栅极电荷和低导通电阻。

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IGBT

IGBT


击穿电压范围为300~1250 V。 VCE(SAT)低,从而降低了导通损耗。 改善了关断能量随着温度升高的扩散。

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功率双极晶体管

功率双极晶体管


该系列产品包含达灵顿晶体管和VCES 为15~1700 V的BJT。



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