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工业用功率晶体管

面向高压和低压应用的先进电源技术,以及多种封装选项和创新型晶片键合技术,说明了意法半导体在功率晶体管领域(属于STPOWER™系列)的创新。
ST的广泛产品组合包括-100V~1700 V功率MOSFET、击穿电压范围为300~1250 V的IGBT、以及15~1700 V功率双极晶体管

由于改进了功率电子系统的热设计,ST的碳化硅(SiC)MOSFET具有业界最高的200 °C额定结温,电压范围从650至1700 V,确保良好的稳定性。

我们种类繁多的STPOWER™产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。

ST的10年长期供货计划确保持续稳定地向客户提供所选部件


意法半导体公司已经将多种高压MOSFET IGBT和智能电源模块(IPM)纳入10年长期供货计划。
该计划为我们客户的设计投资提供支持,确保选定的器件至少10年(从通知日期起)内均可供货。
请在此处查看我们已纳入10年计划的STPOWER™晶体管和模块列表。

宽带隙晶体管

宽带隙晶体管,碳化硅(SiC)MOSFET

650 V至1700 V碳化硅MOSFET具有行业内最高的温度额定值200 °C,即使在高温条件下,其RDS(on)的变化也非常小。

功率MOSFET

MOSFET

采用先进的封装,具有很宽的击穿电压范围(-100 ~ 1700 V)、低栅极电荷和低导通电阻。

IGBT

IGBT

击穿电压范围为300~1250 V。VCE(SAT)低,从而降低了导通损耗。改善了关断能量随着温度升高的扩散。

功率双极晶体管

功率双极晶体管

该系列产品包含达灵顿晶体管和VCES为15~1700 V的BJT。

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