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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主な特徴

    • 6 µs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.6 V (typ.) @ IC = 4 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode

推奨コンテンツ

モバイル・アプリケーション

    • 製品型番

      STPOWER IGBT finder mobile app for tablets and smartphones

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技術文書

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      DS11391
      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
      4.0
      1.13 MB
      PDF
      DS11391

      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
      1.0
      2.13 MB
      PDF
      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
      1.1
      2.4 MB
      PDF
      AN4694

      EMC design guides for motor control applications

      AN4544

      IGBT datasheet tutorial

HWモデル、CADライブラリ & SVD

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      STGB4M65DF2 PSpice model 1.0
      2.72 KB
      ZIP

      STGB4M65DF2 PSpice model

関連資料

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      ST IGBT FINDER app for Android and iOS 1.0
      316.78 KB
      PDF

      ST IGBT FINDER app for Android and iOS

    • 概要 バージョン サイズ アクション
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.03 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

品質 & 信頼性

製品型番 Marketing Status 概要 パッケージ グレード RoHSコンプライアンスグレード 材料宣誓書**
STGB4M65DF2
量産中
Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss D2PAK インダストリアル Ecopack2

STGB4M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

Material Declaration**:

Marketing Status

量産中

General Description

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

Package

D2PAK

Grade

Industrial

(**) st.comで提供している材料宣誓書は、パッケージ・ファミリ内で最も一般的に使用されているパッケージに基づく汎用ドキュメントの場合があります。そのため、特定の製品では100%正確ではない可能性があります。特定の製品情報については、セールスサポートまでお問い合わせください

サンプル & 購入

製品型番
販売代理店からオーダー
STからオーダー
製品ステータス
ECCN (US)
ECCN (EU)
梱包タイプ
パッケージ
温度(℃) Budgetary Price (US$)*/Qty
詳細情報
最小
最大
STGB4M65DF2 Available at 1 distributors

販売代理店在庫STGB4M65DF2

代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
ANGLIA Live EUROPE 50 1000 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-28

代理店名

ANGLIA Live

在庫

50

Min.Order

1000

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-28

量産中
EAR99 NEC Tape And Reel D2PAK -55 175
詳細情報

Country of Origin:

CHINA

概要:

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

STGB4M65DF2

製品ステータス

量産中

ECCN (US)

EAR99

Budgetary Price (US$)*/Qty

販売代理店在庫STGB4M65DF2

代理店名
地域 在庫 最小発注 パートナー企業リンク
ANGLIA Live EUROPE 50 1000 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-28

代理店名

ANGLIA Live

在庫

50

Min.Order

1000

地域

EUROPE 発注する

代理店レポートによる在庫データ: 2020-07-28

ECCN (EU)

NEC

梱包タイプ

Tape And Reel

パッケージ

D2PAK

Operating Temperature (°C)

(最小)

-55

(最大)

175

Budgetary Price (US$)* / Qty

Country of Origin

CHINA

概要

Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

(*)概算用の希望小売単価(US$)です。現地通貨でのお見積りについては、STのセールス・オフィスまたは販売代理店までお問い合わせください。