STPOWER GaNトランジスタ

同等のシリコン製品よりも優れた性能指数（FOM）、低いオン抵抗（RDS(on)）と総ゲート電荷量（QG）を備えたGaNパワー･トランジスタは、高いドレイン･ソース間電圧特性を提供し、逆回復電荷ゼロ（カスコード･デバイスの場合はきわめて微量）と非常に低い固有容量も実現します。電力変換アプリケーションの効率向上に向けた最先端のソリューションであるGaNテクノロジーは、さらに高い周波にて動作可能で、非常に高い電力密度を実現しながら厳しいエネルギー要件を満たすことができ、システムの小型化が可能となります。STPOWER GaNトランジスタは、産業用および車載用アプリケーションにおいて、高効率および高周波ソリューションを提供します。

GaNトランジスタのメリット

高効率	高電力密度	電力の変革

環境に優しい	製品の小型化	スマート設計

成長するGaNトランジスタの製品ポートフォリオ

STの製品ポートフォリオには、以下の3つのPowerGaN製品タイプがあります。

GaN e-modeトランジスタ
「ノーマリ･オフ」のp-GaNゲートe-modeトランジスタは、逆回復電荷ゼロを実現するため、超高周波のアプリケーションに最適です。STのG-HEMT™シリーズは、650Vおよび100Vのドレイン･ソース間電圧定格で提供予定です。STのG-HEMT™ 650V GaN HEMTの製品ポートフォリオをご確認ください。
GaN FET
Cascoded GaNダイは低電圧MOSFETと一緒にパッケージ化され純粋な「ノーマリ･オフ」となり、MOSFETデバイス向けに設計された標準のゲート・ドライバを使用するという利点があります。STのG-FET™デバイスは、650V / 900Vのドレイン･ソース間電圧定格で提供予定です。
ゲート･ドライバ内蔵のGaNスイッチ
容易な実装でGaNの速度性能をフル活用するSTのG-DRIVE™は、ドライバと安全機能を統合する650V SiPであり、設計の複雑さと部品（BOM）コストの低減が可能です。