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パワー・トランジスタ Minimize menu

STPOWER GaNトランジスタ

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STPOWER GaNトランジスタは、比較的新しいワイド・バンドギャップ化合物であるGaN(窒化ガリウム)をベースにした高効率トランジスタで、電力変換ソリューションに付加価値を提供します。

今日のパワー・エレクトロニクスが挑む重要な課題は、効率性と電源性能の向上に対する高まるニーズに応えると同時に、さらなる低コストと小型化を実現することです。

GaN(窒化ガリウム)テクノロジーの導入はこれらを実現するための動きであり、商用化が進むにつれて電力変換アプリケーションでの使用も増大しています。 

同等のシリコン製品よりも優れた性能指数(FOM)、低いオン抵抗(RDS(on))と総ゲート電荷量(QG)を備えたGaNパワー・トランジスタは、高いドレイン・ソース間電圧特性を提供し、逆回復電荷ゼロ(カスコード・デバイスの場合はきわめて微量)と非常に低い固有容量も実現します。電力変換アプリケーションの効率向上に向けた最先端のソリューションであるGaNテクノロジーは、さらに高い周波にて動作可能で、非常に高い電力密度を実現しながら厳しいエネルギー要件を満たすことができ、システムの小型化が可能となります。STPOWER GaNトランジスタは、産業用および車載用アプリケーションにおいて、高効率および高周波ソリューションを提供します。

GaNトランジスタのメリット

高効率 高電力密度 電力の変革
環境に優しい 製品の小型化 スマート設計

 

 

成長するGaNトランジスタの製品ポートフォリオ

STの製品ポートフォリオには、以下の3つのPowerGaN製品タイプがあります。

  • GaN e-modeトランジスタ
    「ノーマリ・オフ」のp-GaNゲートe-modeトランジスタは、逆回復電荷ゼロを実現するため、超高周波のアプリケーションに最適です。STのG-HEMT™シリーズは、650Vおよび100Vのドレイン・ソース間電圧定格で提供予定です。STのG-HEMT™ 650V GaN HEMTの製品ポートフォリオをご確認ください。 
  • GaN FET
    Cascoded GaNダイは低電圧MOSFETと一緒にパッケージ化され純粋な「ノーマリ・オフ」となり、MOSFETデバイス向けに設計された標準のゲート・ドライバを使用するという利点があります。STのG-FET™デバイスは、650V / 900Vのドレイン・ソース間電圧定格で提供予定です。
  • ゲート・ドライバ内蔵のGaNスイッチ
    容易な実装でGaNの速度性能をフル活用するSTのG-DRIVE™は、ドライバと安全機能を統合する650V SiPであり、 設計の複雑さと部品(BOM)コストの低減が可能です。