耐放射線性ゲート・ドライバ

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STは、クラス最高のBCD6s SOIテクノロジーを使用して製造された、QML-V認定済みの耐放射線性ゲート・ドライバを提供しています。速度と安全性に優れ、放射線や過酷な環境に対して、より強力かつ堅牢な製品です。

STの高周波デュアル・ローサイド・ドライバ・シリーズは、吸収線量100krad(Si)で認定を受け、最大70MeV.cm2/mgのSEL耐性を備えています。正負両出力バージョンを備えており、セラミック製の密封パッケージ(業界標準のピン配置のFlat-16またはスペースを最適化したFlat-10)で提供されます。

STの耐放射線性ゲート・ドライバは、電源電圧範囲が広いため、柔軟性に優れたソリューションを実現し、過酷な環境下で高静電容量MOSFETとともに動作することができます。

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