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ST提供了汽车MOSFET的广泛选择,满足各种汽车系统的需求。AEC-Q101 MOSFET的击穿电压为– 80 V(p通道)到1200 V(n通道),支持最通用的封装选项,有更高的设计灵活性。

它们的低导通电阻和卓越的开关性能与最佳的高雪崩容量质量结合,助力更加稳定、可靠和节能的汽车应用。

主要特性:

  • - 80 V至1200 V汽车级增强模式功率MOSFET
  • 平面、高级沟槽和超结技术,具有低开关和导通损耗
  • 标准和逻辑电平栅-源门限电压(VGS(th)
  • 最大工作结温(TJ(Max)):175 °C和150 °C
  • 广泛的功率封装(高电流能力)

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