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STPOWER SiC MOSFET是面向更紧凑和高效设计的创新型解决方案,而意法半导体正将新型宽带隙材料的优势扩展到大批量生产中。可从广泛的电压范围(650V、1200V和1700V)装置进行选择。STPOWER SiC MOSFET具有非常低的导通电阻RDS(on),适用于不同的汽车和工业应用。STPOWER SiC MOSFET是合格的汽车级器件,符合AEC-Q101要求。

 

主要特性:

  • 超高温处理能力(max.TJ = 200 °C)
  • 显著降低开关损耗(随温度的变化降至最低)
  • 低导通状态电阻
  • 易于驱动
  • 稳定的超快速本体