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650 V、8 A高浪涌碳化硅功率肖特基二极管

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  • 碳化硅(SiC)二极管是一款超高性能的功率肖特基二极管,是使用碳化硅基板制造的。宽带隙材料可用于设计650V额定电压的肖特基二极管。由于肖特基结构的关系,关断时不存在反向恢复现象,且振铃模式几乎可忽略。最小的容性关断行为受温度影响小。

    ST碳化硅(SiC)二极管特别适用于PFC应用,可在硬开关条件下大幅提升效能。其高耐正向浪涌电流能力可确保在瞬态期间提供良好的耐受性。

    主要特性

    • 在应用电流范围内无反向恢复
    • 开关行为受温度影响小
    • 高耐正向浪涌电流能力
    • 绝缘封装TO-220AC插件:
      • Insulated voltage: 2500 V rms
      • Typical package capacitance: 7 pF

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      DS9225
      650 V, 8 A high surge silicon carbide power Schottky diode
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      DS9225

      650 V, 8 A high surge silicon carbide power Schottky diode

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      AN4242
      New generation of 650 V SiC diodes
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      AN5088
      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations
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      AN4242

      New generation of 650 V SiC diodes

      AN5088

      Rectifiers thermal management, handling and mounting recommendations

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      TN1173
      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches
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      TN1173

      Packing information for IPAD, protection, rectifiers, thyristors and AC Switches

硬件型号、CAD库及SVD

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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb) 7.0
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      Silicon-carbide (SiC) Schottky diode PSpice models (.lib & .olb)

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      650V & 1200V Silicon Carbide (SiC) Diodes portfolio

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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages 1.0
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      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary) 1.0
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      650 V SiC DIODES for industrial applications 1.0
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      1200V SiC diodes, 2 to 40 A in surface-mount and through-hole packages

      1200V Silicon Carbide diodes – from 2A to 40A – in through-hole and surface-mount packages (1-page summary)

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