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Gallium Nitride (GaN) Power ICs

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集成式智能GaN

氮化镓(GaN)技术通过硅MOSFET支持实现前所未有的高速、更高效率和功率密度,正在深刻改变电力工程领域。我们先进MasterGaN系统级封装集成了GaN晶体管和栅极驱动器,具有优化的栅极驱动布局、较高的功率密度以及因最小寄生效应而提升的开关频率,因此效率更高。

 

STDRIVE® GaN驱动器

GaN驱动设备是用于增强模式GaN FET或N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器。

 

高压GaN转换器

高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)技术的引入丰富了高压功率变换器。GaN晶体管的使用带来了更高的功率密度、效率,以及开关频率,帮助人们研发出体积更小且重量更轻的PCB,简化了SMPS的设计,提高了整体性能。

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