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Gallium Nitride (GaN) Power ICs

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eDesignSuite

集成式智能GaN

氮化镓(GaN)技术正凭借其高速,高效和高功率密度等传统硅MOSFET所不具备的优秀特性,给电子工程世界带来一场革命。我们先进MasterGaN系统级封装集成了GaN晶体管和栅极驱动器,具有优化的栅极驱动布局、较高的功率密度以及因最小寄生效应而提升的开关频率,因此效率更高。

 

STDRIVE® GaN驱动器

GaN驱动设备是用于增强模式GaN FET或N沟道功率MOSFET的半桥栅极驱动器