功率晶体管

面向高压和低压应用的先进电源技术，配合多种封装选项和创新型晶片键合技术，说明了意法半导体在功率晶体管领域（属于STPOWER系列）的创新。意法半导体的广泛产品组合包括-100~1700 V功率MOSFET、击穿电压范围为300~1700 V的IGBT，以及15~1700 V功率双极晶体管。由于改进了功率电子系统的热设计，意法半导体的碳化硅（SiC）MOSFET具有业界最高的200 °C额定结温，电压范围从650至2200 V，确保良好的稳定性。此外，我们的硅基氮化镓（GaN/Si）晶体管可实现最高效率和最大功率密度，因为其具有特殊的动态导通状态电阻和微小电容（100、650和900 V）。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装（即分立式和模块式）和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为定制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。

意法半导体的10年长期供货计划确保持续稳定地向客户提供所选部件

意法半导体公司已经将多种STPOWER高压MOSFETs、IGBT和智能电源模块（IPM）纳入10年长期供货计划。STPOWER SiC MOSFET也在供货计划范围内，最低供货时长为7年。该计划为客户的设计投资提供支持，确保选定的器件至少10或7年（从通知日期起）内均可供货。 请在此处查看我们已获得认证的STPOWER晶体管和模块列表。

SiC MOSFET

氮化镓晶体管（100 V、650 V和900 V）使650 V至2200 V碳化硅（SiC）MOSFET趋于完美，可以提高功率效率、减小尺寸、降低重量、节约系统成本，或同时实现以上全部目标。

功率MOSFET

采用先进的封装，具有宽泛的击穿电压范围（-100 V至1700 V）、低栅极电荷和低导通电阻。

IGBT

击穿电压范围为300V~1700 V。V_CE(SAT)低，从而降低了导通损耗。改善了关断能量随着温度升高的扩散。

功率双极晶体管

该系列产品包含达灵顿晶体管和V_CES为15 V~1700 V的BJT。