面向高压和低压应用的先进电源技术，配合多种封装选项和创新型晶片键合技术，说明了意法半导体在功率晶体管领域（属于STPOWER™系列）的创新。意法半导体的广泛产品组合包括-100V~1700 V功率MOSFET、击穿电压范围为300~1700 V的IGBT、以及15~1700 V功率双极晶体管。由于改进了功率电子系统的热设计，意法半导体的碳化硅（SiC）MOSFET具有业界最高的200 °C额定结温，电压范围从650至1700 V，确保良好的稳定性。此外，我们的硅基氮化镓（GaN/Si）晶体管可实现最高效率和最大功率密度，因为其具有特殊的动态导通状态电阻和微小电容（100V和650 V）。
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护，提供高可靠性和安全性，帮助设计人员为客制化的高效应用（将具有很长的使用寿命）找到正确的解决方案。
意法半导体的10年长期供货计划确保持续稳定地向客户提供所选部件
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