面向高压和低压应用的先进电源技术,配合多种封装选项和创新型晶片键合技术,说明了意法半导体在功率晶体管领域(属于STPOWER系列)的创新。意法半导体的广泛产品组合包括-100~1700 V功率MOSFET、击穿电压范围为300~1700 V的IGBT,以及15~1700 V功率双极晶体管。由于改进了功率电子系统的热设计,意法半导体的碳化硅(SiC)MOSFET具有业界最高的200 °C额定结温,电压范围从650至2200 V,确保良好的稳定性。此外,我们的硅基氮化镓(GaN/Si)晶体管可实现最高效率和最大功率密度,因为其具有特殊的动态导通状态电阻和微小电容(100、650和900 V)。
我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装(即分立式和模块式)和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为定制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。
意法半导体的10年长期供货计划确保持续稳定地向客户提供所选部件
![]() | 意法半导体公司已经将多种STPOWER高压MOSFETs、IGBT和智能电源模块(IPM)纳入10年长期供货计划。STPOWER SiC MOSFET也在供货计划范围内,最低供货时长为7年。该计划为客户的设计投资提供支持,确保选定的器件至少10或7年(从通知日期起)内均可供货。 |
SiC MOSFET
