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1200 V IGBT H系列基于沟槽场截止(TFS)技术,适于在20-100 kHz之间的开关频率下工作的应用。这些高速IGBT具有超短拖尾电流、低关断能量损耗以及超快开启时间,提高了太阳能逆变器、焊机、UPS和PFC转换器等应用的能源效率。IGBT属于STPOWER系列。

175°C的扩展最大工作结温结合较宽的安全工作区(SOA)使其非常适用于恶劣环境中。

对于成本敏感型应用,可提供无二极管型号。该系列的额定电流为15 A、25 A和40 A,可提供标准或长引线TO-247封装。

STPOWER IGBT主要特征:

  • 高速IGBT(最大100 kHz)
  • 1200 V的击穿电压,5 µs的最小短路额定值(150°C启动TJ)和175°C最大工作TJ条件下,提供了很高的稳健性和可靠性
  • 纤薄的IGBT晶片增加了热阻
  • 正VCE(sat)温度系数,紧凑的参数分布,简化设计,易于并联
  • 组合封装续流二极管可实现快速恢复(足够的平缓性、出色的高速开关和EMI)

意法半导体的1200 V IGBT H系列补充了分别在最大8 kHz以及20 kHz频率下提供最佳效率的1200 V IGBT S系列和M系列。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。

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