功率晶体管 Minimize menu

• IGBT (278)
  • 300-400V (内置钳位)绝缘栅双极晶体管(IGBT) (15)
  • 600-650V 绝缘栅双极晶体管(IGBT) (214)
    • 600V H系列-中速（8至30 kHz） (18)
    • 600V系列-超高速（50至100 kHz） (34)
    • 650V HB2系列-高速（16至60 kHz） (23)
    • 650V HB系列-高速（16至60 kHz） (45)
    • 650V IH系列-软开关（20至60kHz） (5)
    • 650V M系列-低损耗（2至20 kHz） (30)
  • 900-1300V 绝缘栅双极晶体管(IGBT) (34)
    • 1200 V H系列-高速（20至100 kHz） (12)
    • 1200 V S系列-低电压降（高达8 kHz） (3)
    • 1200V M系列-低损耗（2至20 kHz） (10)
    • 1250V IH系列-软开关（20至60kHz） (4)
  • IGBT裸片 (15)
    • 1200V (8)
    • IGBT裸片 (7)
• 功率MOSFET (1397)
  • N-沟道 (12V 至 30V) (54)
  • N-沟道 (350V 至 700V) (676)
    • MDmesh DM2系列 (85)
    • MDmesh DM6系列 (51)
    • MDmesh M2系列 (175)
    • MDmesh M5系列 (90)
    • MDmesh M6系列 (64)
  • N-沟道 (>30V 至 350V) (357)
    • STripFET F7系列 (124)
  • N-沟道 (>700V) (270)
    • MDmesh DK5系列 (5)
    • MDmesh K5 系列 (179)
    • MDmesh K6 series (1)
  • P-沟道 (-20V 至 -500V) (40)
• 功率双极器件 (173)
  • 500-1000V晶体管 (33)
  • < 500V晶体管 (73)
  • > 1000V晶体管 (20)
  • 达林顿二极管 (47)
• 宽带隙晶体管 (52)
  • 碳化硅MOSFET (52)