功率晶体管 Minimize menu

• IGBT (260)
  • 300-400V (内置钳位)绝缘栅双极晶体管(IGBT) (12)
  • 600-650V 绝缘栅双极晶体管(IGBT) (203)
    • 600V H系列-中速（8至30 kHz） (22)
    • 600V系列-超高速（50至100 kHz） (38)
    • 650V HB2系列-高速（16至60 kHz） (1)
    • 650V HB系列-高速（16至60 kHz） (46)
    • 650V IH系列-软开关（20至60kHz） (2)
    • 650V M系列-低损耗（2至20 kHz） (29)
  • 900-1300V 绝缘栅双极晶体管(IGBT) (37)
    • 1200 V H系列-高速（20至100 kHz） (12)
    • 1200 V S系列-低电压降（高达8 kHz） (3)
    • 1200V M系列-低损耗（2至20 kHz） (10)
    • 1250V IH系列-软开关（20至60kHz） (4)
  • IGBT裸片 (8)
• 功率MOSFET (1460)
  • N-沟道 (12V 至 30V) (63)
    • STripFET H7系列 (1)
  • N-沟道 (350V 至 700V) (718)
    • MDmesh DM2系列 (83)
    • MDmesh DM6系列 (24)
    • MDmesh M2系列 (202)
    • MDmesh M5系列 (102)
    • MDmesh M6系列 (49)
  • N-沟道 (>30V 至 350V) (367)
    • STripFET F7系列 (119)
  • N-沟道 (>700V) (270)
    • MDmesh DK5系列 (5)
    • MDmesh K5 系列 (176)
  • P-沟道 (-20V 至 -500V) (42)
• 功率双极器件 (190)
  • 500-1000V晶体管 (34)
  • < 500V晶体管 (93)
  • > 1000V晶体管 (15)
  • 达林顿二极管 (48)
• 宽带隙晶体管 (17)
  • 碳化硅MOSFET (17)