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MDmesh DK5 MOSFET具有950到1050 V击穿电压,是意法半导体首款N通道功率MOSFET超高电压快速恢复二极管系列。它们具有超低的栅极电荷,低至45 nC,具有业界最佳的250 ns(典型)反向恢复时间(trr),令它们成为高功耗应用中ZVS LLC谐振转换器的理想选择,如工业焊机、等离子生成器、高频电感融化/加热和X光机。功率MOSFET属于STPOWER™系列。

得益于业界最低的0.12 Ω导通电阻(RDS(on))(VGS = 10 V,ID = 23 A)和最佳的稳定性,MDmesh DK5快速二极管MOSFET系列还适合于硬开关拓扑。

MDmesh DK5 N-沟道VHV MOSFET有广泛的穿孔和SMD功耗封装,包括长引线TO-247和ISOTOP封装。

主要特性

  • 在快速二极管MOSFET中业界最佳的Qg(45 nC)
  • 在超高压快速二极管MOSFET中反向恢复电荷最低(典型250 ns)
  • 业界最低的RDS(on)(在Max247和ISOTOP封装中为0.12 Ω)
  • 极为出色的Coss/Ciss曲线

我们种类繁多的STPOWER™产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。


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