STG15M65F2D7

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650 V、15 A沟槽栅场截止低损耗M系列IGBT晶片,D7封装

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This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
  • 所有功能

    • 6 µs of minimum short-circuit withstand time
    • Low VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 15 A
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Tight parameter distribution
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

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STG15M65F2D7

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ECCN (US)

EAR99

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Not Applicable

封装

D.SCRIB.100% VI STAT

Operating Temperature (°C)

(最小值)

-55

(最大值)

175

Country of Origin

ITALY

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