STG25H120F2D7

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1200 V, 25 A trench gate field-stop H series IGBT die in D7 packing

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产品概述

描述

This die is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate and field-stop structure. This device is a part of the H2 series IGBTs.
  • 所有功能

    • 5 μs of short-circuit withstand time
    • Low VCE(sat)= 2.1 V (typ.) at IC = 25 A
    • Tight parameter distribution
    • Low switching-off losses
    • Safer paralleling

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STG25H120F2D7
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STG25H120F2D7

Package:

Industrial

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EAR99 NEC Not Applicable D.SCRIB.100% VI STAT - - ITALY

STG25H120F2D7

供货状态

批量生产

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EAR99

ECCN (EU)

NEC

包装类型

Not Applicable

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-

(最大值)

-

Country of Origin

ITALY

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商