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  • This device is an IGBT developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. The device is part of the M series IGBTs, which represent an optimal balance between inverter system performance and efficiency where low-loss and short-circuit functionality are essential. Furthermore, the positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.

    主要特性

    • 6 µs of short-circuit withstand time
    • VCE(sat) = 1.55 V (typ.) @ IC = 10 A
    • Tight parameter distribution
    • Safer paralleling
    • Positive VCE(sat) temperature coefficient
    • Low thermal resistance
    • Soft and very fast recovery antiparallel diode
    • Maximum junction temperature: TJ = 175 °C

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    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS10848
      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in TO-220FP package
      7.0
      965.83 KB
      PDF
      DS10848

      Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in TO-220FP package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4694
      EMC design guides for motor control applications
      1.0
      2.13 MB
      PDF
      AN4544
      IGBT datasheet tutorial
      1.1
      2.4 MB
      PDF
      AN4694

      EMC design guides for motor control applications

      AN4544

      IGBT datasheet tutorial

硬件型号、CAD库及SVD

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      STGF10M65DF2 PSpice model 1.0
      2.5 KB
      ZIP

      STGF10M65DF2 PSpice model

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package 1.0
      1.67 MB
      PDF
      ST IGBT FINDER app for Android and iOS 1.0
      787.04 KB
      PDF

      650V HB series IGBTs; Innovative 4-lead package

      ST IGBT FINDER app for Android and iOS

    • 描述 版本 文档大小 操作
      Electric vehicle (EV) ecosystem 1.1
      1.28 MB
      PDF

      Electric vehicle (EV) ecosystem

质量与可靠性

产品型号 供货状态 一般描述 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STGF10M65DF2
批量生产
Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss TO-220FP Industrial Ecopack2

STGF10M65DF2

Package:

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

General Description

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

Package

TO-220FP

Grade

Industrial

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

样片和购买

产品型号
从分销商订购
从ST订购
封装
包装类型
供货状态
ECCN (US)
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一般描述
Budgetary Price (US$)*/Qty
STGF10M65DF2 Available at 1 distributors

...的经销商可用性STGF10M65DF2

代理商名称
地区 Stock 最小订购量 第三方链接
DIGIKEY WORLDWIDE 67 1 马上订购

代理商库存报告日期: 2020-07-03

代理商名称

DIGIKEY

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1

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WORLDWIDE 马上订购

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获取样片 TO-220FP Tube
批量生产
EAR99 CHINA Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss 1.0 / 1k

STGF10M65DF2

封装

TO-220FP

包装类型

Tube

Budgetary Price (US$)*/Qty

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DIGIKEY WORLDWIDE 67 1 马上订购

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DIGIKEY

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供货状态

批量生产

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1.0 / 1k

ECCN (US)

EAR99

Country of Origin

CHINA

一般描述

Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 10 A low loss

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商