P-channel 60 V, 0.023 Ohm typ., 42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STL42P6LLF6 PowerFLAT 5x6 Tape And Reel
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      DS10014
      P-channel -60 V, 23 mΩ typ., -42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package
      5.0
      834.71 KB
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      DS10014

      P-channel -60 V, 23 mΩ typ., -42 A STripFET F6 Power MOSFET in a PowerFLAT 5x6 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

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      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

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      STL42P6LLF6 PSpice model 1.0
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      STL42P6LLF6 PSpice model

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STL42P6LLF6
批量生产
PowerFLAT 5x6 工业 Ecopack2

STL42P6LLF6

Package:

PowerFLAT 5x6

Material Declaration**:

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批量生产

Package

PowerFLAT 5x6

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

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