STP52P3LLH6

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P沟道30 V、0.01 Ohm典型值、52 A STripFET H6功率MOSFET,TO-220封装

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ H6 technology, with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche
    • Low gate drive power loss

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技术文档

    • 描述 版本 文档大小 操作
      DS10746
      P-channel -30 V, 0.01 Ω typ., -52 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in TO-220 package
      2.0
      523.71 KB
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      DS10746

      P-channel -30 V, 0.01 Ω typ., -52 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in TO-220 package

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      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
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      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

出版刊物和宣传资料

    • 描述 版本 文档大小 操作
      ST MOSFET Finder, the new app for Android and iOS 1.0
      305.22 KB
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质量与可靠性

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 材料声明**
STP52P3LLH6
批量生产
TO-220AB Industrial Ecopack2

STP52P3LLH6

Package:

TO-220AB

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

TO-220AB

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持

样片和购买

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CHINA

(*) 建议转售单价(美元)仅用于预算用途。如需以当地货币计价的报价,请联系您当地的 ST销售办事处 或我们的 经销商