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意法半导体MDmesh™超结MOSFET的击穿电压范围为400 V至650 V,采用MAX-247封装,可提供低至15mΩ(650 V)的极低导通电阻。此类N沟道SJ MOSFET属于STPOWER系列。

STPOWER MOSFET标准系列

  • MDmesh M5系列:超结功率MOSFET具有卓越的RDS(on)值,可显著降低高功率PFC电路、电源和太阳能逆变器中的功率损耗。
  • MDmesh M2系列:超结MOSFET在RDS(on)和电容曲线之间实现最佳折中,适用于软开关拓扑。
  • MDmesh M6:意法半导体最新的超结技术针对谐振拓扑进行了优化,适用于高功率应用。该系列适用于工业和汽车市场。

快速恢复体二极管系列

  • MDmesh DM2:快速恢复二极管MOSFET,针对全桥相移ZVS拓扑进行了优化。该系列还包含面向汽车应用经AEC-Q101认证的400 V、500 V、600 V和650 V器件,具有较软的换向性能。
  • MDmesh DM6:快速恢复超结MOSFET,具有改良的RDS(on)*面积,并针对全桥相移ZVS拓扑进行了优化。该系列还包含面向汽车应用经AEC-Q101认证的600 V和650 V器件,具有较软的换向特性,适合超高效系统。

此类MDmesh™ 超结功率MOSFET采用微型大功率封装:DPAK,IPAK,D2PAK,H2PAK,I2PAK,MAX-247,ISOTOP,SOT-223,SOT223-2L,TO-220,TO-247,TO-247 -4,TO-3PF,TO-LL和PowerFLAT系列(3.3 x 3.3毫米,5 x 5毫米,5 x 6毫米HV和8 x 8毫米HV)。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。


New 650 V MDmesh M2 power MOSFETs

The M2 series of super-junction (SJ) MOSFETs has been extended with the introduction of 650 V devices ensuring a higher safety margin for more robust and reliable applications. The low on-resistance (down to 0.36Ω in the TO-220 package) combined with low gate charge and input/output capacitances enable highly-efficient adapters, solar micro-inverters and lighting applications.