P-channel -30 V, 0.01 Ohm typ., -12.5 A, STripFET H6 Power MOSFET in a SO-8 package

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  • This device is a P-channel Power MOSFET developed using the STripFET™ F6 technology with a new trench gate structure. The resulting Power MOSFET exhibits very low RDS(on) in all packages.

    主要特性

    • Very low on-resistance
    • Very low gate charge
    • High avalanche ruggedness
    • Low gate drive power loss

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STS10P3LLH6 SO-8 Tape And Reel
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STS10P3LLH6

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      DS10150
      P-channel -30 V, 0.01 Ω typ., -12.5 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in an SO-8 package
      6.0
      664.83 KB
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      DS10150

      P-channel -30 V, 0.01 Ω typ., -12.5 A, STripFET™ H6 Power MOSFET in an SO-8 package

    • 描述 版本 文档大小 操作
      AN4337
      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters
      1.1
      347.01 KB
      PDF
      AN4337

      The avalanche issue: comparing the impacts of the IAR and EAS parameters

    • 描述 版本 文档大小 操作
      UM1575
      Spice model tutorial for Power MOSFETs
      1.3
      1.51 MB
      PDF
      UM1575

      Spice model tutorial for Power MOSFETs

硬件型号、CAD库及SVD

    • 描述 版本 文档大小 操作
      STS10P3LLH6 PSpice model 1.0
      3.32 KB
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      STS10P3LLH6 PSpice model

产品型号 供货状态 封装 等级规格 符合RoHS级别 Material Declaration**
STS10P3LLH6
批量生产
SO-8 工业 Ecopack2

STS10P3LLH6

Package:

SO-8

Material Declaration**:

Marketing Status

批量生产

Package

SO-8

Grade

Industrial

RoHS Compliance Grade

Ecopack2

(**) The Material Declaration forms available on st.com may be generic documents based on the most commonly used package within a package family. For this reason, they may not be 100% accurate for a specific device. Please contact our sales support for information on specific devices.

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