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STPOWER SiC MOSFET现在让创新型宽带隙材料(WBG)的优点惠及您的下一个设计。自2014年开始量产以来,意法半导体的SiC MOSFET提供扩展的电压范围(从650 - 1700 V,在不久的将来会更高),采用最先进的技术平台(具有优良开关性能),具有单位面积极低的导通电阻RDS(on) 和业界出色的品质因数(FoM)。由于意法半导体碳化硅专家的出色工作,配备ST SiC MOSFET的系统可以受益于其所达到的优良质量(几乎可与传统硅技术相媲美)。意法半导体的SiC MOSFET将允许您设计比以往任何时候更高效的紧凑型系统。 

我们的STPOWER SiC MOSFET的主要特点和优势包括:

  • 汽车级(AG)合格器件
  • 超高温处理能力(max.TJ = 200 °C)
  • 极低的开关损耗(随温度变化影响最小)允许工作在非常高的开关频率
  • 在温度范围内具有低导通电阻
  • 易于驱动
  • 稳定的超快速本体二极管

我们的STPOWER SiC MOSFET产品采用专门为汽车和工业应用设计的先进封装(HiP247、H2PAK-7、TO-247长引线、STPAK和HU3PAK)。