意法半导体的高可靠性、抗辐射双极晶体管的最大集电极-发射极电压高达300 V，最大集电极电流高达5 A，辐射测试后的hFE呈线性且变化小，可满足空间应用要求。
NPN和PNP器件均可采用气密封装，例如表面贴装LCC-3、UB、SMD.5、以及功率通孔TO-257AA。双互补NPN和PNP晶体管也可采用LCC-6和Flat-8封装。
意法半导体的高可靠性、抗辐射产品符合ESCC规范系统要求并通过ESA认证，可提供电离总剂量（TID）辐射水平高达100 krad的抗辐射版本。许多器件也有符合DLA标准的JANS版本。
意法半导体致力于进一步扩大产品范围，推出针对电力牵引和TWT阴极偏压应用的新型高压产品。
- 2ST3360K Rad-hard NPN and PNP complementary transistors 60 V, 0.8 A
- JANS2N2222A Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor
- 2ST15300 Rad-Hard 300 V, 5 A NPN transistor
- 2N2907AHR Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor
- 2N2920AHR Hi-Rel 60 V, 0.03A NPN dual matched transistor
- 2N5551HR Rad-Hard 160 V, 0.5 A NPN transistor
- 2N3810HR Rad-Hard 60 V, 0.05 A PNP dual matched transistor
- 2N5401HR Rad-Hard 150 V, 0.5 A PNP transistor
- 2N5154HR Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor
- 2N5153HR Rad-Hard 80 V, 5 A PNP transistor
- 2N3700HR Rad-Hard 80 V, 1 A NPN transistor
- JANS2ST3360K Hi-Rel NPN-PNP complementary transistors 60 V, 0.8 A
- 2N2222AHR Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor
- 2N2484HR High reliability 60 V, 0.5 A NPN transistor