ST 高可靠性、抗辐射双极型晶体管专门满足高可靠性要求和空间应用。 这些器件采用密封封装，如表面贴装 LCC-3、LCC-6 和 SMD.5，以及 TO-254、TO-257、TO-39 和TO-18 透孔封装。
它们符合 ESCC 空间规格认证，满足 100 krad TID 辐射性能要求。
这些器件最大集电极-发射极电压达 160 V，最大集电极电流 5 A， hFE 达 450。
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2ST15300
Rad-Hard NPN bipolar transistor 300 V, 5 A
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2N2907AHR
Hi-Rel PNP bipolar transistor 60 V, 0.6 A
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2N2920AHR
Hi-Rel NPN dual matched Bipolar Transistor 60V - 0.03A
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2N5551HR
Hi-Rel NPN bipolar transistor 160 V, 0.5 A
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2N3810HR
Hi-Rel PNP dual matched bipolar transistor -60 V, -0.05 A
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2N5401HR
Hi-Rel PNP bipolar transistor 150 V, 0.5 A
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2N5154HR
Hi-Rel NPN bipolar transistor 80 V, 5 A
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2N5153HR
Hi-Rel PNP bipolar transistor -80 V, -5 A
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2N3700HR
Hi-Rel NPN bipolar transistor 80 V, 1 A
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2N2920AK
Hi-Rel NPN dual matched Bipolar Transistor 60V - 0.03A
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JANS2ST3360K
Hi-Rel NPN-PNP complementary transistors 60 V, 0.8 A
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2N2222AHR
Rad-Resistant NPN bipolar transistor 40 V, 0.8 A
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2N2484HR
Hi-Rel NPN bipolar transistor 60 V, 0.05 A
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2ST3360
Hi-Rel NPN and PNP complementary transistors 60 V, 0.8 A
