意法半导体的高可靠性、抗辐射双极晶体管的最大集电极-发射极电压高达300 V，最大集电极电流高达5 A，辐射测试后的hFE呈线性且变化小，可满足空间应用要求。
NPN和PNP器件均可采用气密封装，例如表面贴装LCC-3、UB、SMD.5、以及功率通孔TO-257AA。双互补NPN和PNP晶体管也可采用LCC-6和Flat-8封装。
意法半导体的高可靠性、抗辐射产品符合ESCC规范系统要求并通过ESA认证，可提供电离总剂量（TID）辐射水平高达100 krad的抗辐射版本。许多器件也有符合DLA标准的JANS版本。
意法半导体致力于进一步扩大产品范围，推出针对电力牵引和TWT阴极偏压应用的新型高压产品。
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JANS2N2222A
Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor
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2ST15300
Rad-Hard 300 V, 5 A NPN transistor
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2N2907AHR
Rad-Hard 60 V, 0.6 A PNP transistor
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2N2920AHR
Hi-Rel 60 V, 0.03A NPN dual matched transistor
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2N5551HR
Rad-Hard 160 V, 0.5 A NPN transistor
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2N3810HR
Rad-Hard 60 V, 0.05 A PNP dual matched transistor
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2N5401HR
Rad-Hard 150 V, 0.5 A PNP transistor
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2N5154HR
Rad-Hard 80 V, 5 A NPN transistor
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2N5153HR
Rad-Hard 80 V, 5 A PNP transistor
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2N3700HR
Rad-Hard 80 V, 1 A NPN transistor
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JANS2ST3360K
Hi-Rel NPN-PNP complementary transistors 60 V, 0.8 A
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2N2222AHR
Rad-Hard 50 V, 0.8 A NPN transistor
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2N2484HR
Hi-Rel NPN bipolar transistor 60 V, 0.05 A
