抗辐射LVDS

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意法半导体的抗辐射LVDS系列包括400 Mbit/s LVDS驱动器、接收器、串行器/解串器和交叉点开关。它们具有非常大的输入共模范围(–4到+5 V),能够耐受高达8 kV的ESD。它们均支持冷备用并可以确保故障安全运行

它们使用意法半导体的抗辐射设计规则设计,并使用意法半导体经过验证的CMOS技术打造,可耐受300 krad (Si)的总电离剂量(TID)。我们的抗辐射LVDS系列能够耐受高达135 MeV.cm2/mg的单粒子闭锁(SEL),可确保一流的单粒子瞬变行为,从而能够满足卫星应用的要求。

我们的LVDS系列采用密封陶瓷封装,并满足最严苛的防辐射标准以及QML-V和EPPL认证标准。