抗辐射功率MOSFET

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意法半导体的抗辐射功率MOSFET专为高可靠性和空间应用设计,提供N-沟道和P-沟道两个版本,其击穿电压可达100 V,漏极电流为48 A,最大导通电阻RDS(on)为30 mΩ,P-沟道版本的电离总剂量(TID)辐射水平为100 krad(N-沟道版本为50 krad)。

这些抗辐射产品运用意法半导体专有的STripFET™制造工艺,提供裸片和气密型SMD.5封装、以及通孔TO-254AA和TO-257AA封装选项。

它们在欧洲进行设计和制造,符合ESCC(欧洲空间元器件协调委员会)规范系统标准要求,并获得欧洲航天局(ESA)认证。