产品概述
描述
这款超高压N-沟道功率MOSFET s采用MDmesh™ K5技术进行设计。该技术以创新专有的垂直工艺为基础。因此,在要求高功率密度和高效率的应用中,导通电阻显著降低,并具有极低的栅极电荷。
-
所有功能
- 业界领先的低 RDS(on)x 面积
- 业界出色的品质因数(FoM)
- 极低的栅极电荷
- 经过100%雪崩测试
- 稳压保护
特别推荐
All tools & software
所有资源
资源标题 | 版本 | 更新时间 |
---|
产品规格 (1)
资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
---|---|---|---|---|
3.0 | 04 Nov 2014 | 04 Nov 2014 |
应用手册 (4)
资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
---|---|---|---|---|
1.0 | 12 Mar 2014 | 12 Mar 2014 | ||
1.0 | 31 Jul 2009 | 31 Jul 2009 | ||
1.0 | 03 Aug 2006 | 03 Aug 2006 | ||
1.0 | 06 Jun 2014 | 06 Jun 2014 |
技术文档 (4)
资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
---|---|---|---|---|
2.0 | 01 Apr 2025 | 01 Apr 2025 | ||
1.0 | 13 Dec 2013 | 13 Dec 2013 | ||
2.0 | 22 May 2019 | 22 May 2019 | ||
2.0 | 23 Nov 2023 | 23 Nov 2023 |
用户手册 (1)
资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
---|---|---|---|---|
1.0 | 26 Nov 2013 | 26 Nov 2013 |
宣传册 (5 of 7)
资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
---|---|---|---|---|
1.0 | 24 Nov 2020 | 24 Nov 2020 | ||
1.0 | 13 Apr 2023 | 13 Apr 2023 | ||
1.0 | 15 Sep 2021 | 15 Sep 2021 | ||
1.0 | 08 Jan 2021 | 08 Jan 2021 | ||
1.0 | 06 Oct 2020 | 06 Oct 2020 | ||
1.0 | 08 May 2020 | 08 May 2020 | ||
1.0 | 31 Jul 2019 | 31 Jul 2019 |
EDA符号、封装和3D模型
所有资源
资源标题 | 版本 | 更新时间 |
---|
SPICE models (1)
资源标题 | 版本 | 更新时间 | ||
---|---|---|---|---|
ZIP | 1.0 | 01 Jul 2022 | 01 Jul 2022 |
质量与可靠性
产品型号 | Marketing Status | 包 | 等级规格 | 符合RoHS级别 | Longevity Commitment | Longevity Starting Date | 材料声明** |
---|---|---|---|---|---|---|---|
STF25N80K5 | 批量生产 | TO-220FP | 工业 | Ecopack2 | 10 | 2019-03-25T00:00:00.000+01:00 |
(**) st.com上提供的材料声明表单可能是基于包装系列中最常用的封装的通用文档。因此,它们可能不是100%适用于特定的设备。有关特定设备的信息,请联系 销售支持。
样片和购买
产品型号 | 供货状态 | Budgetary Price (US$)*/Qty | 从ST订购 | Order from distributors | 包 | 包装类型 | RoHS | Country of Origin | ECCN (US) | ECCN (EU) | Operating Temperature (°C) (min) | Operating Temperature (°C) (max) | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
STF25N80K5 | 批量生产 | | distributors 无法联系到经销商,请联系我们的销售办事处 | TO-220FP | Tube | ITALY | EAR99 | NEC |
STF25N80K5 批量生产