概述
产品选择器
解决方案
资源
工具与软件
eDesignSuite
开始

基于宽带隙材料的先进性和创新性,意法半导体650至1700 V碳化硅(SiC)MOSFET具有单位面积极低的导通电阻(RDS(on))和出色的开关性能,可实现更高效,更紧凑的系统。SiC MOSFET属于STPOWER系列。

与硅MOSFET相比,STPOWER SiC MOSFET即使在高温下也具有较低的单位面积导通电阻,并在所有温度范围内均具有同类最佳IGBT的开关性能,从而简化了电力电子系统的散热设计。

我们的STPOWER SiC MOSFET的主要特点和优势包括:

  • 高温处理能力(max. TJ = 200 °C),可减小PCB外形尺寸(简化热管理),提高系统可靠性
  • 大幅降低了开关损耗(随温度变化影响最小),从而实现了更紧凑的设计(采用更小巧的无源元件)
  • 低导通电阻(典型值20 mΩ,25 °C条件下,用于650 V器件以及典型值80 mΩ25 °C条件下,用于1200 V器件),由于降低了冷却要求,从而提高了系统效率
  • 易于驱动(经济型网络驱动)
  • 稳定的超快速本体二极管(无需外部续流二极管,从而进一步缩小了系统尺寸)

我们的产品组合包括用于工业和汽车应用的各种工作电压,例如:牵引逆变器、车载充电器和快速充电器、DC-DC转换器、SMPS /高端PFC、辅助电源以及UPS /太阳能/焊接。

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。