CATEGORIES

MDmesh DM6系列

概述
产品选择器
解决方案
文件
CAD资源
工具与软件
eDesignSuite

MDmesh™ DM6超结功率MOSFET是意法半导体最新的快速恢复二极管MOSFET系列,针对全桥相移ZVS拓扑进行了优化。

此类600和650 V快速恢复MOSFET具有极低的恢复电荷和时间(Qrr,trr),与前一代相比,RDS(on)降低了15%。高dV/dt稳定性(100 V/ns)让器件即使出现了大瞬态电压(如AC电源线上的噪声和谐波)也能可靠运行。这些功率MOSFET属于STPOWER系列。

STPOWER MOSFET关键特性与优势

  • 改进的本征二极管反向恢复时间(Trr),提高了效率
  • 更高的dV/dt和di/dt容量有助于提高系统的可靠性与稳健性
  • 符合AEC-Q101标准的600 V和650 V快速恢复MOSFET,可用于汽车应用

MDmesh™ DM6系列功率MOSFET具有600到650 V的击穿电压范围,并提供广泛的封装选项,包括通孔(TO247、TO247长引线和4引线TO247)和SMD封装解决方案,包括D2PAK、7引线H2PAK和新型HU3PAK封装

全新突破性顶侧冷却HU3PAK解决方案可实现更高的功率密度和改进的热管理,从而实现更紧凑且非常有效的系统。这种新封装的特性非常适合工业与汽车应用。首款采用HU3PAK封装并上市的STPOWER MOSFET为获得AEC-Q101认证的600V STHU36N60DM6AGSTHU47N60DM6AG以及650V STHU32N65DM6AG,非常适合电动车辆应用中的OBC和DC-DC转换器。

我们的STPOWER MOSFET Finder移动应用程序可帮助设计人员为自定义、高效率、长使用寿命的应用找到正确解决方案。