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MDmesh™ DM6超结功率MOSFET是意法半导体最新的快速恢复二极管MOSFET系列,针对全桥相移ZVS拓扑进行了优化。

此类600 V-650 V快速恢复MOSFET具有极低的恢复电荷和时间(Qrr,trr),与前一代相比,RDS(on)降低了15%。高dV/dt稳定性(50 V/ns)让器件即使出现了大电压瞬态(如AC电源线上的噪声和谐波)也能可靠运行。这些功率MOSFET属于STPOWER系列。

STPOWER MOSFET关键特性与优势

  • 改进的本征二极管反向恢复时间(Trr),提高了效率
  • 更高耐dV/dt能力,可提高系统可靠性
  • 符合AEC-Q101标准的600 V和650 V快速恢复MOSFET,可用于汽车应用

我们种类繁多的STPOWER产品组合采用先进的封装和防护,提供高可靠性和安全性,帮助设计人员为客制化的高效应用(将具有很长的使用寿命)找到正确的解决方案。