STPOWER氮化镓晶体管

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STPOWER GaN晶体管是基于氮化镓(GaN)的高效晶体管,而氮化镓是一种相对较新的宽带隙化合物,在功率转换解决方案中提供真正的附加值。

电力电子领域如今面临的主要挑战是应对提高效率和功率性能方面日益增长的需求,同时不断追求降低成本和尺寸。

引入氮化镓(GaN)技术就是朝着这一方向迈出的一步,随着商业化程度不断提高,其在功率转换应用中的应用将越来越广泛。 

与硅基晶体管相比,氮化镓功率晶体管具有更出色的品质因数(FoM)、导通电阻(RDS(on))和总栅电荷(QG),提供高漏源电压能力、零反向恢复电荷(在共源共栅器件中可以忽略)和极低的本征电容。作为可以提高功率转换应用效率的领先解决方案,GaN技术以更高的功率密度使其能够满足最严格的能源需要,能够在更高的频率下工作,从而缩减系统尺寸。STPOWER GaN晶体管代表了工业和汽车应用领域在效率和高频解决方案方向的真正突破。

GaN晶体管的优点

高效率 更高的功率密度 重塑功率
更环保 尺寸更小的产品 更智能的设计

 

 

阵容不断壮大的GaN晶体管系列

意法半导体的产品包括3种不同的PowerGaN产品类型:

  • GaN增强模式晶体管
    这些正常处于关闭状态的p-GaN栅极增强模式晶体管提供零反向恢复电荷,非常适合超高频率应用。意法半导体的G-HEMT™系列650V100V漏源电压额定值可选。探索我们的G-HEMT™ 650 VGaN HEMT产品组合。 
  • GaN FET
    采用低压MOSFET和自然“关闭”封装器件的共源共栅GaN FET器件,意法半导体GaN FET器件的优势是使用为MOSFET器件设计的标准栅极驱动器。我们的G-FET™器件采用650V漏源电压额定值。
  • 具有嵌入式栅极驱动器的GaN开关
    易于实现且充分利用GaN速度性能的意法半导体G-DRIVE™是一款集成了驱动和安全功能的650V SiP,降低了设计复杂度和物料成本。